JOONIS 41-20 MOS-väljatransistor, nn MOSFET. Neelu-lätte-voolu $I_{NA}$ tugevust läbi $n$-kanali tüüritakse pingega $V_{VA}$, mis on rakendatud lätte $S$ ja neelu $D$ vahele. Tõkkekihti $n$-tüüpi materjali ja $p$-tüüpi alusmaterjali vahel ei ole näidatud.