Kui kaks pn-siiret luuakse vastasjärjestuses (nt np ja pn) ühisesse kristallipalasse, saadakse transistor, nüüdiselektroonika põhiline ehituskivi. Transistor oleks nagu kahe dioodi ühend, kusjuures dioodidel on ühine p-poole (npn-transistoris) või n-poole (pnp-transistoris, vt. joon.11.5).

Seega on ta juba kolmekihiline pooljuhtstruktuur. Joonisel on märgitud transistorikihtide tavapärased nimetused: emitter (ld. emittere – välja saatma), kollektor (ld. collector – koguja) ja baas (ld. basis – alus; see nimetus on ilmselt jäänuk transistori algaegadest. ) Nimetus tuleneb ingl. sõnadest to transfer – üle kandma, siirdama, ja resistor – takisti. “Takistuse ülekanne” tähendab seda, et ühele siirdele rakendatud signaalipingega saab reguleerida, tüürida teise siirde takistust ja seeläbi ka väljundpinget. Transistor on aktiivseadis, mis võimendab elektrisignaale, teeb ümberlülitamisi, genereerib elektrivõnkumisi jpmt.

Transistoritest saab koostada väga erineva otstarbega lülitusi. Muuhulgas võib kaks transistorit ühendada bistabiilsesse, so kahe tasakaaluseisundiga lülitusse: üks transistor juhib, teine mitte, kusjuures sisendsignaal võib nende olekut vahetada. Selline lülitus on elektronarvuti põhielement: üks seisund modelleerib kahendsüsteemi arvu 1, teine – arvu 0.

Nii dioodide kui ka transistorite kasutatavaimaks materjaliks oli varem germaanium, praegu räni. Üha rohkem tehakse neid ka galliumarseniidist ja  teistest pooljuhtühenditest. 

Vaatame npn-transistori toimimist võimendusastmes. (pnp-transistor funktsioneerib samuti, ainult toiteallika polaarsus ja voolukandjate märgid on vahetatud.) Transistor eelpingestatakse nii (joon.11.2), et  emitteri ja baasi vaheline siire (siire EB) saab päripinge, siire baas-kollektor (BK) aga vastupinge. Esimene on siis väikese, teine suure takistusega. Oluline nipp on selles, et baasikiht tehakse hästi õhuke (mõni μm). Päripinge mõjul emitterist baasi suunduvad elektronid valguvad peaaegu kõik õhukesest baasist läbi. Jõudes kollektorisiirdesse, vähendavad lisandunud voolukandjad selle takistust.

Joonis 11.6 näitab ilmekalt transistori võimendusefekti. Graafikul on taas pn-siirde tunnusjoon. Parem (varjutatud) pool vastab päripingestatud siirdele (dioodile) EB, vasak – vastupingestatud siirdele BK. Väike signaalipinge muutus ΔU_EB tekitab voolumuutuse ΔI_E. See kandub kärmesti läbi õhukese baasi peaaegu muutumata suuruses (ΔI_K ≈ ΔI_E ) üle siirdele BK. Et aga viimane on vastupingestatud, on vastav pingelangu muutus BK-siirdel DU_BK oluliselt suurem:     ΔU_BK>> ΔU_EB. Sedasi toimibki transistor pingevõimendina, samuti  võimsusvõimendina, sest ka võimsuskasvik

ΔI_K · ΔU_BK >> ΔI_E · ΔU_EB.  Transistorite tüüpilised  võimendustegurid on suurusjärgus mõnest kümnest mõne sajani.

Mõni sõna ka veidi teise tööprintsiibiga väljatransistorist ehk unipolaartransistorist (joon.11.7). Nende tarbimine laieneb praegu tormiliselt, eriti kiipide (jrgm. p.) koostises. Siin tüüritakse klemmide “läte” ja “suue” vahelist voolu homogeenses, siireteta pooljuhis. Tüürib isoleeritud elektroodile “pais” antud signaalipinge. Kui see on nt n-pooljuhi korral negatiivne, tõrjutakse voolu kandvaid elektrone eemale, kitsendades voolukanalit ja tõstes selle takistust. Paisuna rakendatakse tihti ka lätte ja paisu vahelise pooljuhipala külgtahusse tehtud pn-siiret. Signaalipinge mõjul hakkab selle siirde tõkkekihi paksus varieeruma, ohjates niiviisi kanali ristlõikepinda ja ühtlasi takistust.